APEC: ισχύς SiC και βελτιωμένα ηλεκτρικά εργαλεία με βάση το σύννεφο

Οι δυνατότητες αναζήτησης έχουν βελτιωθεί και υπάρχει ένα μενού τύπου "καρουσέλ" που επιτρέπει την επιλογή επιλεγμένων συσκευών και πινάκων, είπε η εταιρεία: "Οι μηχανικοί είναι σε θέση να περιορίσουν τις βιώσιμες λύσεις λύσεων εξαρτημάτων και συστημάτων και να είναι σίγουροι για την απόδοση του συστήματος πριν δεσμευτούν προμηθεύοντας υλικό και ολοκληρώνοντας τα σχέδιά τους. "

Οι επίδειξεις στο APEC περιλαμβάνουν έναν διαδηλωτή τριφασικού πλήρους γέφυρας PFC (διορθωτικό συντελεστή ισχύος) 11kW 100kHz, καρβιδίου πυριτίου (SiC), συνολικής γέφυρας PFC (διορθωτικό συντελεστή ισχύος), που κατασκευάστηκε γύρω από το MOSFET NVHL080N120SC1 SiC (1,200V,> 30A, ~ 80mΩ, TO247) και τον οδηγό πύλης NCP51705 φορτίο-αντλία για να δημιουργήσει μια αρνητική προκατάληψη για να συμπεριλάβει SiC MOSFET απενεργοποίηση.

Στο Semi eFuse

Επίσης θα εμφανιστεί μια eFuse, έξυπνοι παθητικοί αισθητήρες για βιομηχανικό αυτοματισμό, μια λύση υψηλής πυκνότητας USB-PD (παράδοση ενέργειας), ένα κύκλωμα ενεργού σφιγκτήρα και μια μονάδα ισχύος οδηγού κινητήρα.

Για να προωθηθεί ο Strata, θα παρουσιαστεί ένα χαρτί που φιλοδοξεί να φιλοξενήσει τον πίνακα επιθυμιών του σχεδιαστή με όλα τα σωστά εργαλεία σε μία μόνο εργαλειοθήκη (19 Μαρτίου 1:30 μ.μ. Δωμάτιο 303AB).

Μια άλλη παρουσίαση είναι: «Αξιοπιστία απόδοσης, αξιοπιστίας και απόδοσης σε υπερσύγχρονες τεχνολογίες SiC diodes και MOSFET κατά τη διάρκεια της ράμπας» (Τετάρτη 20 Μαρτίου 2μμ, έλεγχος θέσης)