Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.

Close
Συνδεθείτε Κανω ΕΓΓΡΑΦΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ:Info@infinity-electronic.com
0 Item(s)

RN2607(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
Η εικόνα μπορεί να είναι παράσταση. Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

Επισκόπηση προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος: RN2607(TE85L,F)
Κατασκευαστής / Μάρκα: Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή προϊόντος TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Φύλλα δεδομένων: RN2607(TE85L,F).pdf
Κατάσταση RoHs Μολύβι ελεύθερο / συμβατό RoHS
Κατάσταση αποθεμάτων 157232 pcs stock
Πλοίο από Χονγκ Κονγκ
Τρόπος αποστολής DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 157232 pcs
Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)
1 pcs
$0.20
10 pcs
$0.144
25 pcs
$0.112
100 pcs
$0.085
250 pcs
$0.06
500 pcs
$0.048
Αίτημα παράθεσης
Παρακαλούμε συμπληρώστε όλα τα υποχρεωτικά πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Κάντε κλικ στο " SUBMIT RFQ " θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σύντομα μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου. Ή στείλτε μας email:Info@infinity-electronic.com
  • Ενδεικτική τιμή:(USD)
  • Ποσότητα:
Σύνολο:$0.20

Σας παρακαλούμε να μας δώσετε την τιμή στόχου σας εάν οι ποσότητες είναι μεγαλύτερες από αυτές που εμφανίζονται.

  • Αριθμός εξαρτήματος
  • Όνομα Εταιρίας
  • όνομα επαφής
  • ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
  • Μήνυμα

Προδιαγραφές του RN2607(TE85L,F)

Αριθμός εξαρτήματος RN2607(TE85L,F) Κατασκευαστής Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS Μολύβι ελεύθερο / συμβατό RoHS
Διαθέσιμη ποσότητα 157232 pcs Φύλλο δεδομένων RN2607(TE85L,F).pdf
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max) 50V VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
transistor Τύπος 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή SM6
Σειρά - Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2) 47 kOhms
Αντίσταση - Βάση (R1) 10 kOhms Ισχύς - Max 300mW
Συσκευασία Cut Tape (CT) Συσκευασία / υπόθεση SC-74, SOT-457
Αλλα ονόματα RN2607(TE85LF)CT τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) 1 (Unlimited) Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS Lead free / RoHS Compliant
Συχνότητα - Μετάβαση 200MHz Λεπτομερής περιγραφή Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max) 100nA (ICBO)
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max) 100mA

Αποστολή

★ ΕΛΕΥΘΕΡΗ ΝΑΥΤΙΛΙΑ ΜΕΤΑ ΤΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ DHL / FEDEX / UPS ΕΑΝ ΔΙΚΑΙΩΜΑ ΠΟΣΟΤΕΡΑ ΠΕΡΙΣΣΟΤΕΡΑ 1.000 USD.
(ΜΟΝΟ ΓΙΑ Ολοκληρωμένα Κυκλώματα, Προστασία κυκλωμάτων, RF / IF και RFID, Οπτοηλεκτρονική, Αισθητήρες, Μετατροπείς, Μετασχηματιστές, Απομονωτές, Διακόπτες, Ρελέ)

FEDEX www.FedEx.com Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα.
DHL www.DHL.com Από τα 35,00 δολάρια βασικά έξοδα αποστολής εξαρτώνται από τη ζώνη και τη χώρα.
UPS www.UPS.com Από τα 35,00 δολάρια βασικά έξοδα αποστολής εξαρτώνται από τη ζώνη και τη χώρα.
TNT www.TNT.com Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα.

★ Ο χρόνος παράδοσης θα χρειαστεί 2-4 μέρες για το μεγαλύτερο μέρος της χώρας σε όλο τον κόσμο από την DHL / UPS / FEDEX / TNT.

Μη διστάσετε να επικοινωνήσετε μαζί μας εάν έχετε απορίες σχετικά με την αποστολή. Στείλτε μας email Info@infinity-electronic.com
FedexDHLUPSTNT

ΕΓΓΥΗΣΗ ΕΠΟΜΕΝΩΝ ΠΩΛΗΣΕΩΝ

  1. Κάθε προϊόν από το Infinity-Semiconductor.com έχει λάβει περίοδο εγγύησης 1 έτους. Κατά τη διάρκεια αυτής της περιόδου, μπορούμε να παρέχουμε δωρεάν τεχνική συντήρηση αν υπάρχουν προβλήματα σχετικά με τα προϊόντα μας.
  2. Εάν διαπιστώσετε προβλήματα ποιότητας για τα προϊόντα μας μετά την παραλαβή τους, μπορείτε να τα δοκιμάσετε και να υποβάλετε αίτηση για επιστροφή άνευ όρων, εάν μπορεί να αποδειχθεί.
  3. Εάν τα προϊόντα είναι ελαττωματικά ή δεν λειτουργούν, μπορείτε να επιστρέψετε σε εμάς εντός 1 ΧΡΟΝΟΥ, όλα τα έξοδα μεταφοράς και τελωνειακής επιβάρυνσης των εμπορευμάτων βαρύνουν εμάς.

Σχετικές ετικέτες

Σχετικά προϊόντα

RN2601(TE85L,F)
RN2601(TE85L,F)
Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Σε απόθεμα: 191016 pcs
Κατεβάστε: RN2601(TE85L,F).pdf
RFQ
RN2701JE(TE85L,F)
RN2701JE(TE85L,F)
Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Σε απόθεμα: 162491 pcs
Κατεβάστε: RN2701JE(TE85L,F).pdf
RFQ
RN2603(TE85L,F)
RN2603(TE85L,F)
Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Σε απόθεμα: 1196304 pcs
Κατεβάστε: RN2603(TE85L,F).pdf
RFQ
RN262CST2R
RN262CST2R
Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Περιγραφή: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2
Σε απόθεμα: 1421333 pcs
Κατεβάστε: RN262CST2R.pdf
RFQ
RN2606(TE85L,F)
RN2606(TE85L,F)
Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Σε απόθεμα: 192223 pcs
Κατεβάστε: RN2606(TE85L,F).pdf
RFQ
RN2602(TE85L,F)
RN2602(TE85L,F)
Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Σε απόθεμα: 186398 pcs
Κατεβάστε: RN2602(TE85L,F).pdf
RFQ
RN262GT2R
RN262GT2R
Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Περιγραφή: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2
Σε απόθεμα: 942692 pcs
Κατεβάστε: RN262GT2R.pdf
RFQ
RN2605(TE85L,F)
RN2605(TE85L,F)
Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Σε απόθεμα: 180200 pcs
Κατεβάστε: RN2605(TE85L,F).pdf
RFQ
RN2610(TE85L,F)
RN2610(TE85L,F)
Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Σε απόθεμα: 181133 pcs
Κατεβάστε: RN2610(TE85L,F).pdf
RFQ
RN2608(TE85L,F)
RN2608(TE85L,F)
Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Σε απόθεμα: 176793 pcs
Κατεβάστε: RN2608(TE85L,F).pdf
RFQ
RN2604(TE85L,F)
RN2604(TE85L,F)
Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Σε απόθεμα: 1038844 pcs
Κατεβάστε: RN2604(TE85L,F).pdf
RFQ
RN2702TE85LF
RN2702TE85LF
Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
Σε απόθεμα: 5485 pcs
Κατεβάστε: RN2702TE85LF.pdf
RFQ

Βιομηχανικά νέα

Ο Rohm προσθέτει 10 αυτοκινητικά MOSFETs SiC
"Η εισαγωγή της σειράς SCT3xxxxxHR επιτρέπει στην Rohm να προσ...
Το ON προσθέτει στα SiC MOSFETs
Η ON Semiconductor έχει εισάγει δύο MOSFETs SiC που προορίζονται γι...
APEC: Η TI σκέφτεται πλευρικά να κατασκευάσει τσιπ ac-dc με stand-by 15mW
"Αυτή η συσκευή επιτυγχάνει την καλύτερη ισορροπία μετ...
Συγγραφικό Περιεχόμενο: SIGLENT SVA1015X Analyzer Spectrum
Ο αναλυτής φάσματος SIGLENT SVA1015X είναι ένα πολύ ισχυρό και...
Οι δαπάνες για τον ημιαγωγικό εξοπλισμό αναμένεται να μειωθούν κατά 14% φέτος και να αυξηθούν κατά 27% το επόμενο έτος
Με την επιβράδυνση του τομέα μνήμης, η κάμψη του 2019 σημ...
Το Power Stamp Alliance κόβει την ανάγκη για CPU κεντρικού υπολογιστή για να παρακολουθεί τους PSU και προσθέτει ένα σχέδιο αναφοράς
Η Συμμαχία (Artesyn Embedded Technologies, Bel Power Solutions, Flex και STMicroelectron...
APEC: ισχύς SiC και βελτιωμένα ηλεκτρικά εργαλεία με βάση το σύννεφο
Οι δυνατότητες αναζήτησης έχουν βελτιωθεί και υπάρχει...
Η Dengrove προσθέτει μετατροπείς DC / DC εξοικονόμησης χώρου από την Recom
Είναι σχεδιασμένα για εφαρμογές που απαιτούν υψηλή πυ...
Πρώτος στρατιωτικός επεξεργαστής βραχίονα για εφαρμογές hi-rel
LS1046A είναι μέρος του χαρτοφυλακίου Arm Layerscape 64-bit NXP, με τε...