0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| Αριθμός εξαρτήματος | RN4987,LF(CT | Κατασκευαστής | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Μολύβι ελεύθερο / συμβατό RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 1630363 pcs | Φύλλο δεδομένων | RN4987,LF(CT.pdf |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max) | 50V | VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| transistor Τύπος | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | US6 |
| Σειρά | - | Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2) | 47 kOhms |
| Αντίσταση - Βάση (R1) | 10 kOhms | Ισχύς - Max | 200mW |
| Συσκευασία | Tape & Reel (TR) | Συσκευασία / υπόθεση | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Αλλα ονόματα | RN4987(T5L,F,T) RN4987,LF(CB RN4987LF(CT RN4987LF(CT-ND RN4987LF(CTTR RN4987T5LFT RN4987T5LFTTR RN4987T5LFTTR-ND |
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση | 250MHz, 200MHz | Λεπτομερής περιγραφή | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max) | 500nA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max) | 100mA |
| FEDEX | www.FedEx.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Από τα 35,00 δολάρια βασικά έξοδα αποστολής εξαρτώνται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| UPS | www.UPS.com | Από τα 35,00 δολάρια βασικά έξοδα αποστολής εξαρτώνται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| TNT | www.TNT.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
