0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| Αριθμός εξαρτήματος | TK1K9A60F,S4X | Κατασκευαστής | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Μολύβι ελεύθερο / συμβατό RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 95802 pcs | Φύλλο δεδομένων | TK1K9A60F,S4X.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 400µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-220SIS |
| Σειρά | U-MOSIX | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 1.9A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 30W (Tc) | Συσκευασία | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-220-3 Full Pack | Αλλα ονόματα | TK1K9A60F,S4X(S TK1K9A60FS4X TK1K9A60FS4X(S |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C | τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | Not Applicable | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 300V | Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| FET Τύπος | N-Channel | FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V | Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 600V |
| Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 600V 3.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS | Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Από τα 35,00 δολάρια βασικά έξοδα αποστολής εξαρτώνται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| UPS | www.UPS.com | Από τα 35,00 δολάρια βασικά έξοδα αποστολής εξαρτώνται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| TNT | www.TNT.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
