Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.

Close
Συνδεθείτε Κανω ΕΓΓΡΑΦΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ:Info@infinity-electronic.com
0 Item(s)

SI4670DY-T1-E3

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
Electro-Films (EFI) / Vishay
Η εικόνα μπορεί να είναι παράσταση. Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

Επισκόπηση προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος: SI4670DY-T1-E3
Κατασκευαστής / Μάρκα: Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή προϊόντος MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Φύλλα δεδομένων: SI4670DY-T1-E3.pdf
Κατάσταση RoHs Μολύβι ελεύθερο / συμβατό RoHS
Κατάσταση αποθεμάτων 70083 pcs stock
Πλοίο από Χονγκ Κονγκ
Τρόπος αποστολής DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 70083 pcs
Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)
1 pcs
$0.495
10 pcs
$0.438
100 pcs
$0.347
500 pcs
$0.269
1000 pcs
$0.212
Αίτημα παράθεσης
Παρακαλούμε συμπληρώστε όλα τα υποχρεωτικά πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Κάντε κλικ στο " SUBMIT RFQ " θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σύντομα μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου. Ή στείλτε μας email:Info@infinity-electronic.com
  • Ενδεικτική τιμή:
  • Ποσότητα:
Σύνολο:$0.495

Σας παρακαλούμε να μας δώσετε την τιμή στόχου σας εάν οι ποσότητες είναι μεγαλύτερες από αυτές που εμφανίζονται.

  • Αριθμός εξαρτήματος
  • Όνομα Εταιρίας
  • όνομα επαφής
  • ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
  • Μήνυμα

Προδιαγραφές του SI4670DY-T1-E3

Αριθμός εξαρτήματος SI4670DY-T1-E3 Κατασκευαστής Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS Μολύβι ελεύθερο / συμβατό RoHS
Διαθέσιμη ποσότητα 70083 pcs Φύλλο δεδομένων SI4670DY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή 8-SO
Σειρά TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 7A, 10V
Ισχύς - Max 2.8W Συσκευασία Original-Reel®
Συσκευασία / υπόθεση 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Αλλα ονόματα SI4670DY-T1-E3DKR
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ) τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) 1 (Unlimited) Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 13V Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Τύπος 2 N-Channel (Dual) FET Χαρακτηριστικό Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 25V Λεπτομερής περιγραφή Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 8A Αριθμός μέρους βάσης SI4670

Αποστολή

★ ΕΛΕΥΘΕΡΗ ΝΑΥΤΙΛΙΑ ΜΕΤΑ ΤΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ DHL / FEDEX / UPS ΕΑΝ ΔΙΚΑΙΩΜΑ ΠΟΣΟΤΕΡΑ ΠΕΡΙΣΣΟΤΕΡΑ 1.000 USD.
(ΜΟΝΟ ΓΙΑ Ολοκληρωμένα Κυκλώματα, Προστασία κυκλωμάτων, RF / IF και RFID, Οπτοηλεκτρονική, Αισθητήρες, Μετατροπείς, Μετασχηματιστές, Απομονωτές, Διακόπτες, Ρελέ)

FEDEX www.FedEx.com Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα.
DHL www.DHL.com Από τα 35,00 δολάρια βασικά έξοδα αποστολής εξαρτώνται από τη ζώνη και τη χώρα.
UPS www.UPS.com Από τα 35,00 δολάρια βασικά έξοδα αποστολής εξαρτώνται από τη ζώνη και τη χώρα.
TNT www.TNT.com Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα.

★ Ο χρόνος παράδοσης θα χρειαστεί 2-4 μέρες για το μεγαλύτερο μέρος της χώρας σε όλο τον κόσμο από την DHL / UPS / FEDEX / TNT.

Μη διστάσετε να επικοινωνήσετε μαζί μας εάν έχετε απορίες σχετικά με την αποστολή. Στείλτε μας email Info@infinity-electronic.com
FedexDHLUPSTNT

ΕΓΓΥΗΣΗ ΕΠΟΜΕΝΩΝ ΠΩΛΗΣΕΩΝ

  1. Κάθε προϊόν από το Infinity-Semiconductor.com έχει λάβει περίοδο εγγύησης 1 έτους. Κατά τη διάρκεια αυτής της περιόδου, μπορούμε να παρέχουμε δωρεάν τεχνική συντήρηση αν υπάρχουν προβλήματα σχετικά με τα προϊόντα μας.
  2. Εάν διαπιστώσετε προβλήματα ποιότητας για τα προϊόντα μας μετά την παραλαβή τους, μπορείτε να τα δοκιμάσετε και να υποβάλετε αίτηση για επιστροφή άνευ όρων, εάν μπορεί να αποδειχθεί.
  3. Εάν τα προϊόντα είναι ελαττωματικά ή δεν λειτουργούν, μπορείτε να επιστρέψετε σε εμάς εντός 1 ΧΡΟΝΟΥ, όλα τα έξοδα μεταφοράς και τελωνειακής επιβάρυνσης των εμπορευμάτων βαρύνουν εμάς.

Σχετικές ετικέτες

Σχετικά προϊόντα

SI4666DY-T1-GE3
SI4666DY-T1-GE3
Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
Σε απόθεμα: 280679 pcs
Κατεβάστε: SI4666DY-T1-GE3.pdf
RFQ
SI4668DY-T1-GE3
SI4668DY-T1-GE3
Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
Σε απόθεμα: 137174 pcs
Κατεβάστε: SI4668DY-T1-GE3.pdf
RFQ
SI4670DY-T1-GE3
SI4670DY-T1-GE3
Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
Σε απόθεμα: 142719 pcs
Κατεβάστε: SI4670DY-T1-GE3.pdf
RFQ
SI4682DY-T1-E3
SI4682DY-T1-E3
Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Σε απόθεμα: 5845 pcs
Κατεβάστε: SI4682DY-T1-E3.pdf
RFQ
SI4682-A10-GM
SI4682-A10-GM
Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Περιγραφή: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN
Σε απόθεμα: 7337 pcs
Κατεβάστε: SI4682-A10-GM.pdf
RFQ
SI4668DY-T1-E3
SI4668DY-T1-E3
Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
Σε απόθεμα: 176661 pcs
Κατεβάστε: SI4668DY-T1-E3.pdf
RFQ
SI4660DY-T1-E3
SI4660DY-T1-E3
Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
Σε απόθεμα: 6100 pcs
Κατεβάστε: SI4660DY-T1-E3.pdf
RFQ
SI4682-A10-GMR
SI4682-A10-GMR
Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Περιγραφή: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN
Σε απόθεμα: 12637 pcs
Κατεβάστε: SI4682-A10-GMR.pdf
RFQ
SI4660DY-T1-GE3
SI4660DY-T1-GE3
Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
Σε απόθεμα: 6049 pcs
Κατεβάστε: SI4660DY-T1-GE3.pdf
RFQ
SI4682DY-T1-GE3
SI4682DY-T1-GE3
Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Σε απόθεμα: 5676 pcs
Κατεβάστε: SI4682DY-T1-GE3.pdf
RFQ
SI4654DY-T1-GE3
SI4654DY-T1-GE3
Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC
Σε απόθεμα: 3854 pcs
Κατεβάστε: SI4654DY-T1-GE3.pdf
RFQ
SI4682-A10-GDR
SI4682-A10-GDR
Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Περιγραφή: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP
Σε απόθεμα: 5063 pcs
Κατεβάστε: SI4682-A10-GDR.pdf
RFQ

Βιομηχανικά νέα

Ο Rohm προσθέτει 10 αυτοκινητικά MOSFETs SiC
"Η εισαγωγή της σειράς SCT3xxxxxHR επιτρέπει στην Rohm να προσ...
Το ON προσθέτει στα SiC MOSFETs
Η ON Semiconductor έχει εισάγει δύο MOSFETs SiC που προορίζονται γι...
APEC: Η TI σκέφτεται πλευρικά να κατασκευάσει τσιπ ac-dc με stand-by 15mW
"Αυτή η συσκευή επιτυγχάνει την καλύτερη ισορροπία μετ...
Συγγραφικό Περιεχόμενο: SIGLENT SVA1015X Analyzer Spectrum
Ο αναλυτής φάσματος SIGLENT SVA1015X είναι ένα πολύ ισχυρό και...
Οι δαπάνες για τον ημιαγωγικό εξοπλισμό αναμένεται να μειωθούν κατά 14% φέτος και να αυξηθούν κατά 27% το επόμενο έτος
Με την επιβράδυνση του τομέα μνήμης, η κάμψη του 2019 σημ...
Το Power Stamp Alliance κόβει την ανάγκη για CPU κεντρικού υπολογιστή για να παρακολουθεί τους PSU και προσθέτει ένα σχέδιο αναφοράς
Η Συμμαχία (Artesyn Embedded Technologies, Bel Power Solutions, Flex και STMicroelectron...
APEC: ισχύς SiC και βελτιωμένα ηλεκτρικά εργαλεία με βάση το σύννεφο
Οι δυνατότητες αναζήτησης έχουν βελτιωθεί και υπάρχει...
Η Dengrove προσθέτει μετατροπείς DC / DC εξοικονόμησης χώρου από την Recom
Είναι σχεδιασμένα για εφαρμογές που απαιτούν υψηλή πυ...
Πρώτος στρατιωτικός επεξεργαστής βραχίονα για εφαρμογές hi-rel
LS1046A είναι μέρος του χαρτοφυλακίου Arm Layerscape 64-bit NXP, με τε...