RQ3E130BNTB

LAPIS Semiconductor

Η εικόνα μπορεί να είναι παράσταση. Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

Επισκόπηση προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος:	RQ3E130BNTB
Κατασκευαστής / Μάρκα:	LAPIS Semiconductor
Περιγραφή προϊόντος	MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Φύλλα δεδομένων:	1.RQ3E130BNTB.pdf 2.RQ3E130BNTB.pdf
Κατάσταση RoHs	Μολύβι ελεύθερο / συμβατό RoHS
Κατάσταση αποθεμάτων	193838 pcs stock
Πλοίο από	Χονγκ Κονγκ
Τρόπος αποστολής	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 193838 pcs

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

1 pcs: $0.176

10 pcs: $0.148

100 pcs: $0.111

500 pcs: $0.081

1000 pcs: $0.063

Αίτημα παράθεσης: Παρακαλούμε συμπληρώστε όλα τα υποχρεωτικά πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Κάντε κλικ στο " SUBMIT RFQ " θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σύντομα μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου. Ή στείλτε μας email:Info@infinity-electronic.com

Ενδεικτική τιμή:(USD)
Ποσότητα:

Σύνολο:$0.176

Σας παρακαλούμε να μας δώσετε την τιμή στόχου σας εάν οι ποσότητες είναι μεγαλύτερες από αυτές που εμφανίζονται.

Αριθμός εξαρτήματος
Όνομα Εταιρίας
όνομα επαφής
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Μήνυμα

Προδιαγραφές του RQ3E130BNTB

Αριθμός εξαρτήματος	RQ3E130BNTB	Κατασκευαστής	LAPIS Semiconductor
Περιγραφή	MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8	Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS	Μολύβι ελεύθερο / συμβατό RoHS
Διαθέσιμη ποσότητα	193838 pcs	Φύλλο δεδομένων	1.RQ3E130BNTB.pdf 2.RQ3E130BNTB.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)	Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	8-HSMT (3.2x3)
Σειρά	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 13A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	2W (Ta)	Συσκευασία	Cut Tape (CT)
Συσκευασία / υπόθεση	8-PowerVDFN	Αλλα ονόματα	RQ3E130BNTBCT
Θερμοκρασία λειτουργίας	150°C (TJ)	τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)	1 (Unlimited)	Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 15V	Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	36nC @ 10V
FET Τύπος	N-Channel	FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	30V
Λεπτομερής περιγραφή	N-Channel 30V 13A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)	Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	13A (Ta)

Αποστολή
Μετά την πώληση
Φύλλα δεδομένων

★ ΕΛΕΥΘΕΡΗ ΝΑΥΤΙΛΙΑ ΜΕΤΑ ΤΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ DHL / FEDEX / UPS ΕΑΝ ΔΙΚΑΙΩΜΑ ΠΟΣΟΤΕΡΑ ΠΕΡΙΣΣΟΤΕΡΑ 1.000 USD.
(ΜΟΝΟ ΓΙΑ Ολοκληρωμένα Κυκλώματα, Προστασία κυκλωμάτων, RF / IF και RFID, Οπτοηλεκτρονική, Αισθητήρες, Μετατροπείς, Μετασχηματιστές, Απομονωτές, Διακόπτες, Ρελέ)

FEDEX	www.FedEx.com	Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα.
DHL	www.DHL.com	Από τα 35,00 δολάρια βασικά έξοδα αποστολής εξαρτώνται από τη ζώνη και τη χώρα.
UPS	www.UPS.com	Από τα 35,00 δολάρια βασικά έξοδα αποστολής εξαρτώνται από τη ζώνη και τη χώρα.
TNT	www.TNT.com	Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα.

★ Ο χρόνος παράδοσης θα χρειαστεί 2-4 μέρες για το μεγαλύτερο μέρος της χώρας σε όλο τον κόσμο από την DHL / UPS / FEDEX / TNT.

Μη διστάσετε να επικοινωνήσετε μαζί μας εάν έχετε απορίες σχετικά με την αποστολή. Στείλτε μας email Info@infinity-electronic.com

ΕΓΓΥΗΣΗ ΕΠΟΜΕΝΩΝ ΠΩΛΗΣΕΩΝ

Κάθε προϊόν από το Infinity-Semiconductor.com έχει λάβει περίοδο εγγύησης 1 έτους. Κατά τη διάρκεια αυτής της περιόδου, μπορούμε να παρέχουμε δωρεάν τεχνική συντήρηση αν υπάρχουν προβλήματα σχετικά με τα προϊόντα μας.
Εάν διαπιστώσετε προβλήματα ποιότητας για τα προϊόντα μας μετά την παραλαβή τους, μπορείτε να τα δοκιμάσετε και να υποβάλετε αίτηση για επιστροφή άνευ όρων, εάν μπορεί να αποδειχθεί.
Εάν τα προϊόντα είναι ελαττωματικά ή δεν λειτουργούν, μπορείτε να επιστρέψετε σε εμάς εντός 1 ΧΡΟΝΟΥ, όλα τα έξοδα μεταφοράς και τελωνειακής επιβάρυνσης των εμπορευμάτων βαρύνουν εμάς.

Σχετικές ετικέτες

LAPIS Semiconductor RQ3E130BNTB
Διανομέας RQ3E130BNTB
Προμηθευτής RQ3E130BNTB
Τιμή RQ3E130BNTB
RQ3E130BNTB Εικόνες
RQ3E130BNTB Εικόνα
Φύλλο δεδομένων RQ3E130BNTB PDF
RQ3E130BNTB Λήψη φύλλου δεδομένων
Φύλλο δεδομένων RQ3E130BNTB
RQ3E130BNTB Απόθεμα
Αγοράστε RQ3E130BNTB
Αγοράστε LAPIS Semiconductor RQ3E130BNTB
LAPIS Semiconductor RQ3E130BNTB
Προμηθευτής LAPIS Semiconductor
Διανομέας LAPIS Semiconductor
LAPIS Semiconductor RQ3E130BNTB
Kionix Inc. RQ3E130BNTB
Rohm Semiconductor RQ3E130BNTB

Σχετικά προϊόντα

: RQ3E120BNTB; Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor; Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8; Σε απόθεμα: 193698 pcs; Κατεβάστε: RQ3E120BNTB.pdf; RFQ

: RQ3E120ATTB; Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor; Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8; Σε απόθεμα: 125029 pcs; Κατεβάστε: RQ3E120ATTB.pdf; RFQ

: RQ3E120GNTB; Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor; Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT; Σε απόθεμα: 546722 pcs; Κατεβάστε: RQ3E120GNTB.pdf; RFQ

: RQ3E180AJTB; Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor; Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8; Σε απόθεμα: 178183 pcs; Κατεβάστε: RQ3E180AJTB.pdf; RFQ

: RQ3E100GNTB; Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor; Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT; Σε απόθεμα: 582270 pcs; Κατεβάστε: RQ3E100GNTB.pdf; RFQ

: RQ3E150BNTB; Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor; Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8; Σε απόθεμα: 163175 pcs; Κατεβάστε: RQ3E150BNTB.pdf; RFQ

: RQ3E130MNTB1; Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor; Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8; Σε απόθεμα: 82336 pcs; Κατεβάστε: RQ3E130MNTB1.pdf; RFQ

: RQ3E100MNTB1; Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor; Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8; Σε απόθεμα: 216725 pcs; Κατεβάστε: RQ3E100MNTB1.pdf; RFQ

: RQ3E150GNTB; Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor; Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT; Σε απόθεμα: 154720 pcs; Κατεβάστε: RQ3E150GNTB.pdf; RFQ

: RQ3E160ADTB; Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor; Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT; Σε απόθεμα: 515074 pcs; Κατεβάστε: RQ3E160ADTB.pdf; RFQ

: RQ3E150MNTB1; Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor; Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8; Σε απόθεμα: 188834 pcs; Κατεβάστε: RQ3E150MNTB1.pdf; RFQ

: RQ3E100BNTB; Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor; Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8; Σε απόθεμα: 852003 pcs; Κατεβάστε: RQ3E100BNTB.pdf; RFQ

Βιομηχανικά νέα

Ο Rohm προσθέτει 10 αυτοκινητικά MOSFETs SiC: "Η εισαγωγή της σειράς SCT3xxxxxHR επιτρέπει στην Rohm να προσ...

Το ON προσθέτει στα SiC MOSFETs: Η ON Semiconductor έχει εισάγει δύο MOSFETs SiC που προορίζονται γι...

APEC: Η TI σκέφτεται πλευρικά να κατασκευάσει τσιπ ac-dc με stand-by 15mW: "Αυτή η συσκευή επιτυγχάνει την καλύτερη ισορροπία μετ...

Συγγραφικό Περιεχόμενο: SIGLENT SVA1015X Analyzer Spectrum: Ο αναλυτής φάσματος SIGLENT SVA1015X είναι ένα πολύ ισχυρό και...

Οι δαπάνες για τον ημιαγωγικό εξοπλισμό αναμένεται να μειωθούν κατά 14% φέτος και να αυξηθούν κατά 27% το επόμενο έτος: Με την επιβράδυνση του τομέα μνήμης, η κάμψη του 2019 σημ...

Το Power Stamp Alliance κόβει την ανάγκη για CPU κεντρικού υπολογιστή για να παρακολουθεί τους PSU και προσθέτει ένα σχέδιο αναφοράς: Η Συμμαχία (Artesyn Embedded Technologies, Bel Power Solutions, Flex και STMicroelectron...

APEC: ισχύς SiC και βελτιωμένα ηλεκτρικά εργαλεία με βάση το σύννεφο: Οι δυνατότητες αναζήτησης έχουν βελτιωθεί και υπάρχει...

Η Dengrove προσθέτει μετατροπείς DC / DC εξοικονόμησης χώρου από την Recom: Είναι σχεδιασμένα για εφαρμογές που απαιτούν υψηλή πυ...

Πρώτος στρατιωτικός επεξεργαστής βραχίονα για εφαρμογές hi-rel: LS1046A είναι μέρος του χαρτοφυλακίου Arm Layerscape 64-bit NXP, με τε...

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.